内存时序之所以有五个，是因为内存时序可以理解为内存的延迟，这五个时序参数对内存的性能有着重要影响。这五个主要时序参数分别是CL（CAS Latency）、TRCD（Row to Column Delay）、TRP（Row Precharge Time）、TRAS（Row Active to Precharge Delay）和CR（Command Rate）。

具体来说，CL（CAS Latency）即CAS延迟时间，它是指内存接收到读取或写入命令后，到开始读取或写入数据所需的时间。这个时间越短，内存的性能就越好。

TRCD（Row to Column Delay）是行到列的延迟时间，它表示从选定一个内存行到开始读取或写入该行的某个列所需的时间。这个时间同样越短，内存的性能就越好。

TRP（Row Precharge Time）是行预充电时间，它表示内存完成一个行的读写操作后，到可以开始另一个行的读写操作前，所需的时间。这个时间越短，内存的性能就越好。

TRAS（Row Active to Precharge Delay）是行活动到预充电的延迟时间，它表示内存行被激活后，到可以开始预充电操作前，所需的时间。这个时间越短，内存的性能就越好。

CR（Command Rate）是命令速率，它表示内存控制器发送命令到内存模块的速率。CR的设置对内存性能也有一定影响。

这五个时序参数之间是相互影响的，需要根据具体的内存规格和硬件环境进行调整和优化，以达到最佳的性能和稳定性。同时，随着内存技术的不断发展，内存时序参数也在不断改进和优化，以满足更高的性能和稳定性需求。