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在IGBT离子注入后，硅的颜色通常会变为深灰色或黑色。这是因为离子注入过程中，注入的离子会激活硅材料中的杂质，使其形成一定浓度的电子和空穴对。
这些电子和空穴对会发生自由载流子复合反应，从而在材料表面形成富集区域并产生黑色。
此外，掺杂的杂质也会影响材料的折射率和吸收率，导致加工后的硅具有不同的光学和电学性质。因此，IGBT离子注入后的硅片常用于制造高性能的半导体器件。
剑桥大学、伦敦大学学院、帝国理工学院、爱丁堡大学、密歇根大学、约翰霍普金斯大学、香港大学、曼切斯特大学、加州大学伯克利分校、多伦多大学、澳大利亚国立大学伦敦大学国王学院、加州大学洛杉矶分校、墨尔本大学、纽约大学