磁电光存储是指使用磁性、电性或光学等不同的物理原理进行数据存储的技术。磁存储利用了电流产生的磁场，将数据记录在磁性材料上。电存储则利用电容或电阻等特性，保存电子状态以表达数据。
光存储则是利用激光等光学信号，将数据端写入光致变色、光致发光或现象的介质上，从而进行数据存储。
这些技术不仅可以提高数据存储容量，还可以提供更高的数据读取速度和更长久的数据储存寿命。磁电光存储在今后数据存储发展中会发挥更加重要的作用。
磁生电需要电。这是由于磁生电原理中电的存在性不可或缺。磁生电的原理基于磁场变化所产生的感应电动势，即磁通量的改变将会在导体中诱发电流。而要使磁通量变化，需要减小或增加磁场强度。磁场强度的产生依赖于电流，因此电流是磁生电的必要条件。
换言之，要产生磁生电，必须先有电通过导线流过产生磁场，才能在导体中诱导出电流，实现磁生电的转化。
磁电存储和HBM存储是两种不同的内存技术。磁电存储，也称为MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory），是一种利用磁性材料来存储数据的技术。它的优势在于速度快、耐用性强且不易失。然而，它的成本较高，容量也相对较小。
相比之下，HBM（High Bandwidth Memory）是一种高性能的RAM技术，它将多个DDR芯片堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现高速数据传输。HBM的优势在于其高带宽和低功耗，但成本也相对较高。